Interconnection structure of a semiconductor device

   
   

Concave portions and convex portions are formed on an insulating layer. First bit lines are arranged on the convex portions. A width of the first bit lines is set to L, and a space between the first bit lines is set to L+2S. Each of the first bit lines is electrically connected to a drain diffusion layer by a contact plug. Second bit lines are arranged in a trench between the first bit lines. A width of the second bit lines is set to L, and a space between the first and second bit lines is equal to a width S of a side wall. Each of the second bit lines is electrically connected to a drain diffusion layer by a contact plug.

Des parties concaves et les parties convexes sont formées sur une couche de isolation. Les premières lignes de peu sont arrangées sur les parties convexes. Une largeur des premières lignes de peu est placée à L, et un espace entre les premières lignes de peu est placé à L+2S. Chacune des premières lignes de peu est électriquement reliée à une couche de diffusion de drain par une prise de contact. Les deuxièmes lignes de peu sont arrangées dans un fossé entre les premières lignes de peu. Une largeur des deuxièmes lignes de peu est placée à L, et un espace entre les premières et deuxièmes lignes de peu est égal à une largeur S d'un mur latéral. Chacune des deuxièmes lignes de peu est électriquement reliée à une couche de diffusion de drain par une prise de contact.

 
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