There is provided a semiconductor storage device in which only a defective
element is replaced by a row redundant element to compensate for a defect
if at least one of a plurality of elements is defective in a case where
the plurality of elements in a memory cell array are simultaneously
activated. The semiconductor storage device includes an array control
circuit which is configured to interrupt the operation of the defective
element by preventing a word line state signal from being received based
on a signal to determine whether a row redundancy replacement process is
performed or not. The word line state signal is input to the plurality of
memory blocks in the cell array unit via a single signal line.
É fornecido um dispositivo de armazenamento do semicondutor em que somente um elemento defeituoso está substituído por um elemento redundante da fileira para compensar para um defeito se ao menos um de um plurality dos elementos for defeituoso em um caso onde o plurality dos elementos em uma disposição de pilha da memória esteja ativado simultaneamente. O dispositivo de armazenamento do semicondutor inclui um circuito de controle da disposição que seja configurarado para interromper a operação do elemento defeituoso impedindo que uma linha sinal da palavra do estado esteja recebida baseado em um sinal determinar se um processo da recolocação da redundância da fileira está executado ou não. A linha sinal da palavra do estado input ao plurality de blocos da memória na unidade da disposição de pilha através de uma única linha de sinal.
