In a solder that realizes high-temperature-side solder bonding in
temperature-hierarchical bonding, a connection portion between a
semiconductor device and a substrate is formed of metal balls made of Cu
or the like and compounds formed of metal balls and Sn, and the metal
balls are bonded together by the compounds.
В припои осуществляет bonding в температур-ierarxiceskom bonding, часть припоя высок-температур-storony соединения между прибора на полупроводниках и субстратом сформирован шариков металла сделанных cu или подобия и смесей сформированных шариков и sn металла, и шарики металла скреплены совместно смесями.
