A conductive structure for gate lines and local interconnects in
microelectronic devices. The conductive structure can be used in memory
cells for SRAM devices or other types of products. The memory device cell
can comprise a first conductive line, a second conductive line, a first
active area, a second active area, a third active area, and a fourth
active area. The first conductive line includes a first gate, a second
gate, a first contact and a second contact. The second conductive line
includes a third gate, a fourth gate, a third contact and a fourth
contact. The first active area is electrically coupled to the first gate
and the third contact; the second active area is electrically coupled to
the second gate and the fourth contact; the third active area is
electrically coupled to the third gate and the first contact; and the
fourth active area is electrically coupled to the fourth gate and the
second contact. The memory cell device, for example, can be a cell for an
SRAM device. As such, other embodiments of memory devices further include
a first access transistor electrically coupled to the second conductive
line, and a second access transistor electrically coupled to the first
conductive line.
Μια αγώγιμη δομή για τις γραμμές πυλών και τοπικός διασυνδέει στις μικροηλεκτρονικές συσκευές. Η αγώγιμη δομή μπορεί να χρησιμοποιηθεί στα κύτταρα μνήμης για τις συσκευές SRAM ή άλλους τύπους προϊόντων. Το κύτταρο συσκευών μνήμης μπορεί να περιλάβει μια πρώτη αγώγιμη γραμμή, μια δεύτερη αγώγιμη γραμμή, μια πρώτη ενεργό περιοχή, μια δεύτερη ενεργό περιοχή, μια τρίτη ενεργό περιοχή, και μια τέταρτη ενεργό περιοχή. Η πρώτη αγώγιμη γραμμή περιλαμβάνει μια πρώτη πύλη, μια δεύτερη πύλη, μια πρώτη επαφή και μια δεύτερη επαφή. Η δεύτερη αγώγιμη γραμμή περιλαμβάνει μια τρίτη πύλη, μια τέταρτη πύλη, μια τρίτη επαφή και μια τέταρτη επαφή. Η πρώτη ενεργός περιοχή συνδέεται ηλεκτρικά με την πρώτη πύλη και την τρίτη επαφή η δεύτερη ενεργός περιοχή συνδέεται ηλεκτρικά με τη δεύτερη πύλη και την τέταρτη επαφή η τρίτη ενεργός περιοχή συνδέεται ηλεκτρικά με την τρίτη πύλη και την πρώτη επαφή και η τέταρτη ενεργός περιοχή συνδέεται ηλεκτρικά με την τέταρτη πύλη και τη δεύτερη επαφή. Η συσκευή κυττάρων μνήμης, παραδείγματος χάριν, μπορεί να είναι κύτταρο για μια συσκευή SRAM. Υπό αυτήν τη μορφή, άλλες ενσωματώσεις των συσκευών μνήμης περιλαμβάνουν περαιτέρω μια πρώτη κρυσταλλολυχνία πρόσβασης που συνδέονται ηλεκτρικά με τη δεύτερη αγώγιμη γραμμή, και μια δεύτερη κρυσταλλολυχνία πρόσβασης που συνδέεται ηλεκτρικά με την πρώτη αγώγιμη γραμμή.
