Thin magnetron structures for plasma generation in ion implantation systems

   
   

A plasma generator for space charge neutralization of an ion beam is disclosed and resides within an ion implantation system operable to generate an ion beam and direct the ion beam along a beamline path. The plasma generator comprises an electric field generation system operable to generate an electric field in a portion of the beamline path, and a magnetic field generation system operable to generate a magnetic field in the portion of the beamline path, wherein the magnetic field is perpendicular to the electric field. The plasma generator further comprises a gas source operable to introduce a gas in a region occupied by the electric field and the magnetic field. Electrons in the region move in the region due to the electric field and the magnetic field, respectively, and at least some of the electrons collide with the gas in the region to ionize a portion of the gas, thereby generating a plasma in the region.

Um gerador do plasma para a neutralização da carga do espaço de um feixe de íon é divulgado e reside dentro de um sistema do implantation de íon operável para gerar um feixe de íon e para dirigir o feixe de íon ao longo de um trajeto do beamline. O gerador do plasma compreende um sistema da geração do campo elétrico operável para gerar um campo elétrico em uma parcela do trajeto do beamline, e um sistema da geração do campo magnético operável para gerar um campo magnético na parcela do trajeto do beamline, wherein o campo magnético é perpendicular ao campo elétrico. O gerador do plasma mais adicional compreende uma fonte do gás operável para introduzir um gás em uma região ocupada pelo campo elétrico e pelo campo magnético. Os elétrons na região movem-se na região devido ao campo elétrico e o campo magnético, respectivamente, e ao menos alguns dos elétrons colidem com o gás na região para ionizar uma parcela do gás, gerando desse modo um plasma na região.

 
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