A split barrier layer enables copper interconnect wires to be used in
conjunction with low-k dielectric films by preventing the diffusion of
N--H base groups into photoresists where they can render the photoresist
insoluble. The split barrier layer is disposed between the copper and the
low-k dielectric and includes a nitrogen-containing, oxygen-free film
which contacts the copper, and an oxygen-containing, nitrogen-free film
which contacts the low-k dielectric film. The nitrogen-containing film
prevents the formation of undesirable copper oxides, and the
oxygen-containing film prevents the diffusion of N--H base groups into the
low-k dielectric films. The oxygen-containing film may be an oxygen-doped
silicon carbide film in an exemplary embodiment. In another embodiment, a
film stack of low-k dielectric films includes an etch-stop layer and
hardmask each formed of oxygen-doped silicon carbide. The hardmask and
etch-stop layer enable the formation of a dual-damascene opening in the
film stack, and the film structure of the present invention precludes N--H
base groups from diffusing from the low-k dielectric films and
neutralizing acid catalysts in the photoresist used to define the dual
damascene opening.
Una capa de barrera partida permite a los alambres de cobre de la interconexión ser utilizada conjuntamente con las películas dieléctricas bajas-k previniendo la difusión de los grupos bajos del N--H en los photoresists donde pueden hacer el photoresist insoluble. La capa de barrera partida se dispone entre el cobre y el dieléctrico bajo-k e incluye una película nitrogen-containing, libre de oxígeno que entre en contacto con el cobre, y oxi'geno-contener, la película nitro'geno-libre que entra en contacto con la película dieléctrica baja-k. La película nitrogen-containing previene la formación de óxidos de cobre indeseables, y la película oxi'geno-que contiene previene la difusión de los grupos bajos del N--H en las películas dieléctricas bajas-k. La película oxi'geno-que contiene puede ser una película oxi'geno-dopada del carburo del silicio en una encarnación ejemplar. En otra encarnación, un apilado de la película de películas dieléctricas bajas-k incluye grabar al agua fuerte-para la capa y el hardmask cada uno formada del carburo oxi'geno-dopado del silicio. El hardmask y grabar al agua fuerte-para capa permite la formación de una abertura del dual-damasceno en el apilado de la película, y la estructura de la película de la actual invención imposibilita grupos bajos del N--H de difundir de las películas dieléctricas bajas-k y de los catalizadores ácidos que neutralizan en el photoresist usado para definir la abertura damasquina dual.
