The electrode structure of this invention includes a silicon-containing
film containing silicon as a principal constituent; a barrier metal layer
of titanium nitride rich in titanium as compared with a stoichiometric
ratio formed on the silicon-containing film; and a metal film with a high
melting point formed on the barrier metal layer.
De elektrodenstructuur van deze uitvinding omvat een silicium-bevattende film die silicium bevat als belangrijkste constituent; een laag van het barrièremetaal rijken van het titaniumnitride in titanium vergeleken met een stoichiometrische verhouding vormde zich op de silicium-bevattende film; en een metaalfilm met een hoog smeltpunt vormde zich op de laag van het barrièremetaal.
