A semiconductor memory device for use in a semiconductor device with a chip
on chip structure, which enables a memory specification to be selected and
fixed, and improves design and production efficiencies. Bonding bumps
corresponding to an input terminal and an output terminal of an interface
circuit are connected to bonding bumps provided on another semiconductor
device. Then, a polarity of a potential on a bus width varying terminal is
fixed by the bonding bump provided on another semiconductor device, so
that an isolated input/output specification is selected as a bus
specification of the interface circuit and a bus width is selected.
Eine Halbleiterspeichervorrichtung für Gebrauch in einem Halbleiterelement mit einem Span auf Spanstruktur, die einer Gedächtnisspezifikation ermöglicht vorgewählt zu werden und geregelt zu werden, und verbessert Design- und Produktions-Leistungsfähigkeiten. Die Abbindenstösse, die einem Eingang Anschluß und einem Ausgangsanschluß einer Schnittstellenleitung entsprechen, werden an die Abbindenstösse angeschlossen, die auf einem anderen Halbleiterelement bereitgestellt werden. Dann wird eine Polarität eines Potentials auf einem Busbreite unterschiedlichen Anschluß durch den Abbindenstoß geregelt, der auf einem anderen Halbleiterelement bereitgestellt wird, damit eine lokalisierte Input/Output Spezifikation vorgewählt wird, während eine Busspezifikation der Schnittstellenleitung und der Busbreite vorgewählt wird.
