Composite electrode materials for electric lamps and methods of manufacture thereof

   
   

An electron emissive composition comprises a barium tantalate composition in an amount of about 50 to about 95 wt %; and a ferroelectric oxide composition in an amount of about 5 to about 50 wt %, wherein the weight percents are based on the total weight of the barium tantalate composition and the ferroelectric oxide composition. A method for manufacturing an electron emissive composition comprises blending a barium tantalate composition in an amount of about 50 to about 95 wt % with a ferroelectric oxide composition in an amount of about 5 to about 50 wt % to form an electron emissive precursor composition, wherein the weight percents are based on the total weight of the barium tantalate composition and the ferroelectric oxide composition; and sintering the composition at a temperature of about 1000.degree. C. to about 1700.degree. C.

Μια emissive σύνθεση ηλεκτρονίων περιλαμβάνει μια σύνθεση τανταλικών αλάτων βάριου σε ένα ποσό περίπου 50 σε περίπου 95 βάρος %; και μια σιδηροηλεκτρική σύνθεση οξειδίων σε ένα ποσό περίπου 5 σε περίπου 50 βάρος %, όπου το βάρος percents είναι βασισμένο στο συνολικό βάρος της σύνθεσης τανταλικών αλάτων βάριου και της σιδηροηλεκτρικής σύνθεσης οξειδίων. Μια μέθοδος για μια emissive σύνθεση ηλεκτρονίων περιλαμβάνει το συνδυασμό μιας σύνθεσης τανταλικών αλάτων βάριου σε ένα ποσό περίπου 50 σε περίπου 95 wt% με μια σιδηροηλεκτρική σύνθεση οξειδίων σε ένα ποσό περίπου 5 σε περίπου 50 wt% για να διαμορφώσει μια emissive σύνθεση προδρόμων ηλεκτρονίων, όπου το βάρος percents είναι βασισμένο στο συνολικό βάρος της σύνθεσης τανταλικών αλάτων βάριου και της σιδηροηλεκτρικής σύνθεσης οξειδίων και συμπυκνώνοντας τη σύνθεση σε μια θερμοκρασία περίπου 1000.degree. Γ. σε περίπου 1700.degree. γ.

 
Web www.patentalert.com

< Process for regenerating a used precious metal catalyst

< Glass substrate for a magnetic disk, a magnetic disk which can be formed with a stable texture and a magnetic disk device

> Multilevel interconnect structure with low-k dielectric

> Simplified bottom electrode-barrier structure for making a ferroelectric capacitor stacked on a contact plug

~ 00172