A novel capacitively coupled NDR device can be used to implement a variety
of semiconductor circuits, including high-density SRAM cells and power
thyristor structures. In one example embodiment, the NDR device is used as
a thin vertical PNPN structure with capacitively-coupled gate-assisted
turn-off and turn-on mechanisms. An SRAM based on this new device is
comparable in cell area, standby current, architecture, speed, and
fabrication process to a DRAM of the same capacity. In one embodiment, an
NDR-based SRAM cell consists of only two elements, has an 8 F.sup.2
footprint, can operate at high speeds and low voltages, has a good
noise-margin, and is compatible in fabrication process with main-stream
CMOS. This cell significantly reduces standby power consumption compared
to other types of NDR-based SRAMs.
Um dispositivo capacitively acoplado da novela NDR pode ser usado executar uma variedade de circuitos de semicondutor, including pilhas de SRAM e estruturas high-density do tiristor do poder. Em uma incorporação do exemplo, o dispositivo de NDR é usado como uma estrutura fina do vertical PNPN com mecanismos turn-off e de ligação porta-ajudados capacitively-acoplados. Um SRAM baseado neste dispositivo novo é comparável na área da pilha, na corrente à espera, na arquitetura, na velocidade, e no processo da fabricação a um DRAM da mesma capacidade. Em uma incorporação, uma pilha NDR-baseada de SRAM consiste em somente dois elementos, tem uma pegada 8 F.sup.2, pode operar-se em velocidades elevadas e em baixas tensões, tem uma ruído-margem boa, e é compatível no processo da fabricação com main-stream CMOS. Esta pilha reduz significativamente o consumo de potência à espera comparado a outros tipos de SRAMs NDR-baseado.
