An electron beam system provides low aberration, 10 nm resolution at 100 eV
landing energy. The system comprises a lens unit :46! having a built-in
semiconductor junction detector :58!. The detector surrounds the
sample-side of a focusing electrode :48! just upstream from a retarding
electrode :50! which is positioned less than a millimeter from the sample
:34!. Because the detector is within a few millimeters of the sample, it
provides efficient detection of secondary electrons from the sample. The
retarding electrode decreases the energies of the primary beam :22! from
10 keV to less than 100 eV, reduces distortions due to sample surface
topography, and serves to accelerate secondary electrons back toward the
detector, further improving detection efficiency.
Um sistema do feixe de elétron fornece a aberração baixa, 10 definições do nm na energia da aterragem de 100 eV. O sistema compreende uma unidade:46 da lente! tendo um detetor interno:58 da junção de semicondutor!. O detetor cerca o amostra-lado de um elétrodo focalizando:48! apenas rio acima de um elétrodo retardando:50! qual é posicionado menos do que um milímetro da amostra:34!. Porque o detetor está dentro de alguns milímetros da amostra, fornece a deteção eficiente de elétrons secundários da amostra. O elétrodo retardando diminui as energias do feixe preliminar:22! de 10 keV menos ao eV de 100, reduz as distorções devido ao topography da superfície da amostra, e os saques a aceleram elétrons secundários para trás para o detetor, uma eficiência melhorando mais adicional da deteção.
