A photovoltaic device having a crystalline semiconductor and an amorphous
semiconductor thin film so that junction characteristics can be upgraded.
The photovoltaic device includes an i-type amorphous silicon thin film and
a p-type amorphous silicon thin layer laminated in this order on a front
surface of an n-type single crystalline silicon substrate, and an i-type
amorphous silicon layer and an n-type amorphous silicon layer laminated in
this order on a rear surface of the single crystalline silicon substrate,
wherein an i-type amorphous silicon film is formed after the front surface
of the single crystalline silicon substrate is exposed to a plasma
discharge using mixed gas of hydrogen gas and a gas containing boron so
that atoms of boron may be interposed on an interface between the single
crystalline silicon substrate and the i-type amorphous silicon layer.
Un dispositivo fotovoltaico che ha un semiconduttore cristallino e una pellicola sottile a semiconduttore amorfo in moda da potere aggiornare le caratteristiche della giunzione. Il dispositivo fotovoltaico include un io-tipo pellicola sottile del silicone amorfo e un p-tipo strato sottile amorfo del silicone laminato in questo ordine su una superficie anteriore di un n-tipo singolo substrato cristallino del silicone e un io-tipo strato amorfo del silicone e un n-tipo strato amorfo del silicone laminato in questo ordine su una superficie posteriore di singolo substrato cristallino del silicone, in cui un io-tipo pellicola amorfa del silicone รจ formato dopo che la superficie anteriore di singolo substrato cristallino del silicone sia esposta ad uno scarico del plasma usando il gas mixed dell'idrogeno e un gas che contiene il boro in moda da potere interporre gli atomi di boro su un'interfaccia fra il singolo substrato cristallino del silicone ed il io-tipo strato amorfo del silicone.
