A projection exposure apparatus for microlithography has a light source, an
illumination system, a mask-positioning system and a projection lens. The
latter has a system aperture plane and an image plane and contains at
least one lens that is made of a material which has a birefringence
dependent on the transmission angle. The exposure apparatus further has an
optical element, which has a position-dependent polarization-rotating
effect or a position-dependent birefringence. This element, which is
provided close to a pupil plane of the projection exposure apparatus,
compensates at least partially for the birefringent effects produced in
the image plane by the at least one lens.
Un appareillage d'exposition de projection pour le microlithography a une source lumineuse, un système de flash, un système depositionnement et un objectif de projection. Le dernier a un avion d'ouverture de système et un avion d'image et contient au moins un objectif qui est fait d'un matériel qui a une personne à charge de biréfringence sur l'angle de transmission. L'appareillage d'exposition autre a un élément optique, qui a un effet polarisation-tournant position-dépendant ou une biréfringence position-dépendante. Cet élément, qui est fourni près d'un plan de pupille de l'appareillage d'exposition de projection, compense au moins partiellement les effets biréfringents produits dans l'avion d'image par l'au moins un objectif.
