A vertical cavity surface-emitting laser (VCSEL) structure and related
fabrication methods are described, the VCSEL comprising amorphous
dielectric distributed Bragg reflectors (DBRs) while also being capable of
fabrication in a single-growth process. Beginning with a substrate such as
InP, a first amorphous dielectric DBR structure is deposited thereon, but
is limited in width such that some substrate material remains uncovered by
the dielectric material. A lateral overgrowth layer is then formed by
epitaxially growing material such as InP onto the substrate, the lateral
overgrowth layer eventually burying the dielectric DBR structure as well
as the previously-uncovered substrate material. Active layers may then be
epitaxially grown on the lateral overgrowth layer, and a top dielectric
DBR may be deposited thereon using conventional techniques. To save
vertical space between DBRs, the first DBR may be deposited in a
non-reentrant well formed in the surface of a substrate. A dual lateral
overgrowth method for further reducing dislocations above a lower buried
dielectric DBR of a VCSEL is also described.
Una estructura del laser de la cavidad superficie-que emite vertical (VCSEL) y los métodos relacionados de la fabricación se describen, el VCSEL que abarca los reflectores distribuidos dieléctrico amorfo de Bragg (DBRs) mientras que también siendo capaces de la fabricación en un proceso del solo-crecimiento. Comenzando con un substrato tal como INP, una primera estructura amorfa del dieléctrico DBR se deposita sobre eso, pero se limita en anchura tales que algún restos del material del substrato destapado por el material dieléctrico. Una capa lateral del crecimiento excesivo entonces es formada epitaxially creciendo material por ejemplo el INP sobre el substrato, la capa lateral del crecimiento excesivo que entierra eventual la estructura del dieléctrico DBR así como el material anterior-destapado del substrato. Las capas activas se pueden entonces epitaxially crecer en la capa lateral del crecimiento excesivo, y un dieléctrico superior DBR se puede depositar sobre eso usando técnicas convencionales. Para ahorrar el espacio vertical entre DBRs, el primer DBR se puede depositar en un pozo no-reentrante formado en la superficie de un substrato. Un método lateral dual del crecimiento excesivo para más lejos reducir dislocaciones sobre un dieléctrico enterrado más bajo DBR de un VCSEL también se describe.
