The invention relates to a semiconductor device comprising bond pad
structure, which bond pad structure comprises a bond pad disposed above at
least one layered stricture, but preferably a stack of layered structures,
wherein the layered structure comprises a metal layer and a layer of a
dielectric material. In the layer of dielectric material via lines are
present and arranged in such a way that the metal layers and the via lines
form isolated areas filled with the dielectric material.
L'invention concerne un dispositif de semi-conducteur comportant la structure de garniture d'obligation, que la structure de garniture d'obligation comporte une garniture d'obligation disposée au-dessus au moins d'une restriction posée, mais de préférence une pile de structures posées, où la structure posée comporte une couche en métal et une couche d'un matériel diélectrique. Dans la couche de matériel diélectrique par l'intermédiaire des lignes sont le présent et disposé de telle manière que le métal pose et par l'intermédiaire des lignes formiez les secteurs d'isolement remplis de matériel diélectrique.
