A high withstand voltage semiconductor device, comprises: a substrate, a
semiconductor layer formed on an upper surface of the substrate, a lateral
semiconductor device formed in a surface region of the semiconductor layer
and having a first principal electrode in its inner location and a second
principal electrode in its outer location so as to let primary current
flow between the first and second principal electrodes, a field insulation
film formed inside from the second principal electrode in an upper surface
of the semiconductor layer to surround the first principal electrode, a
resistive field plate formed on an upper surface of the field insulation
film to surround the first principal electrode and sectioned in a
plurality of circular field plates in an approximate circular arrangement
orbiting gradually from the vicinity of the first principal electrode
toward the second principal electrode, the innermost one of the circular
field plates being electrically connected to the first principal electrode
while the outermost one is electrically connected to the second principal
electrode, and the resistive field plate including coupling field plates
which respectively connect adjacent ones of the circular field plates, and
a conductive field plate shaped in a floating state right above spaces
defined between pairs of the adjacent circular field plates, an interlayer
insulation film being interposed between the conductive field plate and
the resistive field plate or the circular field plates, and upon an
application of voltage between the first and second principal electrodes,
capacities being formed between the conductive field plate and the
resistive field plate.
Ein hohes Widerstand Spannung Halbleiterelement, enthält: ein Substrat, eine Halbleiterschicht bildete sich auf einer Oberfläche des Substrates, ein seitliches Halbleiterelement, das in einer Oberflächenregion der Halbleiterschicht gebildet wurde und eine erste Hauptelektrode in seiner inneren Position und eine zweite Hauptelektrode habend in seiner äußeren Position damit gegenwärtigen hauptsächlichfluß zwischen die ersten und zweiten Hauptelektroden, einen auffangenisolierung Film lassen Sie, der nach innen von der zweiten Hauptelektrode in einer Oberfläche der Halbleiterschicht gebildet wird, um die erste Hauptelektrode zu umgeben, ein widerstrebendes, auffangen die Platte, die auf einer Oberfläche des auffangenisolierung Filmes gebildet wird, um die erste Hauptelektrode zu umgeben und in einer Mehrzahl des Rundschreibens unterteilt ist, fangen Sie Platten in einem ungefähren auf die kreisförmige Anordnung, die stufenweise von der Nähe der ersten Hauptelektrode in Richtung zur zweiten Hauptelektrode, das innerste des Rundschreibens in Umlauf bringt, fangen die Platten auf, die elektrisch an die erste Hauptelektrode angeschlossen werden, während das äußerste man elektrisch an die zweite Hauptelektrode angeschlossen wird, und die widerstrebenden fangen Platte einschließlich Koppelung auffangen Platten auf, die beziehungsweise die angrenzende des Rundschreibens auffangen Platten anschließen und ein leitendes die Platte auffangen, die in ein sich hin- und herbewegendes Zustandrecht über den Räumen geformt wird, die zwischen Paaren des angrenzenden Rundschreibens definiert werden, auffangen Platten, fangen ein Zwischenlageisolierung Film, der zwischen dem leitenden vermittelt wird, Platte auf und die widerstrebenden fangen Platte auf, oder das Rundschreiben fängt Platten und nach einer Anwendung der Spannung zwischen auf zuerst und an zweiter Stelle Hauptelektroden, die Kapazitäten, die zwischen dem leitenden gebildet werden, fangen Platte auf und die widerstrebenden fangen Platte auf.
