A power MOSFET comprises, between source and drain electrodes, a low
resistive semiconductor substrate of a first conductivity type, a drift
layer of the first conductivity type formed on the semiconductor
substrate, a high resistive epitaxial layer of the first conductivity type
formed on the drift layer, trenches formed to extend from a surface of the
epitaxial layer into the drift layer, gate electrodes buried in the
trenches with gate insulating films interposed between the gate electrodes
and walls of the trenches, low resistive source layers of the first
conductivity type formed in a surface region of the epitaxial layer
adjacent to the gate insulating films, and a base layer of a second
conductivity type formed in the surface region of the epitaxial layer,
wherein the epitaxial layer intervening between the trenches is depleted
in a case where 0 volt is applied between the source electrode and the
gate electrodes.
Un MOSFET di alimentazione contiene, fra la fonte e gli elettrodi dello scolo, un substrato resistente basso a semiconduttore di un primo tipo di conducibilità, uno strato della direzione del primo tipo di conducibilità formato sul substrato a semiconduttore, un alto strato epitassiale resistente del primo tipo di conducibilità formato sullo strato della direzione, trincee formate per estendersi da una superficie dello strato epitassiale nello strato della direzione, elettrodi di cancello sepolti nelle trincee con le pellicole isolanti del cancello interposte fra gli elettrodi di cancello e pareti delle trincee, strati resistenti bassi di fonte del primo tipo di conducibilità formato in una regione di superficie dello strato epitassiale adiacente alle pellicole isolanti del cancello e di uno strato basso dell' il secondo tipo di conducibilità ha formato nella regione di superficie dello strato epitassiale, in cui lo strato epitassiale che interviene fra le trincee è esaurito in un caso dove 0 volt sono applicati fra l'elettrodo di fonte e gli elettrodi di cancello.
