Spin switch and magnetic storage element using it

   
   

A spin switch that can be driven with voltage. This spin switch includes the following: a ferromagnetic material; a magnetic semiconductor magnetically coupled to the ferromagnetic material; an antiferromagnetic material magnetically coupled to the magnetic semiconductor; and an electrode connected to the magnetic semiconductor via an insulator. A change in the electric potential of the electrode causes the magnetic semiconductor to make a reversible transition between a ferromagnetic state and a paramagnetic state. When the magnetic semiconductor is changed to the ferromagnetic state, the ferromagnetic material is magnetized in a predetermined direction due to the magnetic coupling with the magnetic semiconductor.

Переключатель закрутки можно управлять с напряжением тока. Этот переключатель закрутки вклюает following: сегнетомагнитный материал; магнитный полупроводник магнитно соединенный к сегнетомагнитному материалу; antiferromagnetic материал магнитно соединенный к магнитному полупроводнику; и электрод соединился к магнитному полупроводнику через изолятор. Изменение в электрическом потенциале электрода причиняет магнитный полупроводник сделать реверзибельный переход между сегнетомагнитным положением и парамагнитным положением. Когда магнитный полупроводник изменен к сегнетомагнитному положению, сегнетомагнитный материал намагничен в предопределенном направлении должном к магнитному соединению с магнитным полупроводником.

 
Web www.patentalert.com

< Carbon-modulated breakdown voltage SiGe transistor for low voltage trigger ESD applications

< Photoelectric conversion device, and image sensor and image input system making use of the same

> Vertical device 4F2 EEPROM memory

> Vertical-type power MOSFET with a gate formed in a trench

~ 00173