Selectively implanting carbon in a transistor lowers the
collector-to-emitter breakdown (BV.sub.CEO) of the transistor. This
transistor, with the lowered BV.sub.CEO, is then used as a "trigger"
device in an Electrostatic Discharge (ESD) power clamp comprising a first
low breakdown trigger device and a second high breakdown clamp device. ESD
power clamps are constructed using epitaxial base pseudomorphic Silicon
Germanium heterojunction transistors in a common-collector Darlington
configuration.
Selectief vermindert het inplanteren van koolstof in een transistor de collector-aan-zender analyse (BV.sub.CEO) van de transistor. Deze transistor, met verminderde BV.sub.CEO, wordt dan gebruikt als "trekker" apparaat in een Elektrostatische de machtsklem van de Lossing (ESD) bestaand uit een eerste laag apparaat van de analysetrekker en uit een tweede hoog apparaat van de analyseklem. Esd de machtsklemmen worden geconstrueerd gebruikend epitaxial heterojunction van het Germanium van het basis pseudomorphic Silicium transistors in een configuratie van gemeenschappelijk-collectordarlington.
