Light-emitting devices are described. One example of a light-emitting
device includes a first barrier layer and a second barrier layer, and a
quantum well layer located between the first and second barrier layers.
The first and second barrier layers are composed of gallium arsenide, and
the quantum well layer is composed of indium gallium arsenide nitride. A
first layer is located between the quantum well layer and the first
barrier layer. The first layer has a bandgap energy between that of the
first barrier layer and that of the quantum well layer. Another example of
a light-emitting device includes a quantum well and a carrier capture
element adjacent the quantum well. The carrier capture element increases
the effective carrier capture cross-section of the quantum well.
Οι εκπέμπουσες φως συσκευές περιγράφονται. Ένα παράδειγμα μιας εκπέμπουσας φως συσκευής περιλαμβάνει ένα πρώτο στρώμα εμποδίων και ένα δεύτερο στρώμα εμποδίων, και ένα κβαντικό καλά στρώμα που βρίσκεται μεταξύ των πρώτων και δεύτερων στρωμάτων εμποδίων. Τα πρώτα και δεύτερα στρώματα εμποδίων αποτελούνται από το αρσενίδιο γαλλίου, και το κβαντικό καλά στρώμα αποτελείται από το νιτρίδιο αρσενίδιων γαλλίου ίνδιου. Ένα πρώτο στρώμα βρίσκεται μεταξύ του κβαντικού καλά στρώματος και του πρώτου στρώματος εμποδίων. Το πρώτο στρώμα έχει μια ενέργεια bandgap μεταξύ αυτού του πρώτου στρώματος εμποδίων και αυτού του κβαντικού καλά στρώματος. Ένα άλλο παράδειγμα μιας εκπέμπουσας φως συσκευής περιλαμβάνει ένα κβάντο καλά και ένας μεταφορέας συλλαμβάνει το στοιχείο δίπλα στο κβάντο καλά. Ο μεταφορέας συλλαμβάνει το στοιχείο αυξάνει τον αποτελεσματικό μεταφορέα συλλαμβάνει τη διατομή του κβάντου καλά.
