Thin lightshield process for solid-state image sensors

   
   

An image sensor includes a substrate having photosensitive areas; an insulator spanning the substrate; and a first and second layer of a multi-layer metallization structure, wherein the first layer forms light shield regions over selected portions of the photosensitive area as well forming circuit interconnections and barrier regions to prevent spiking into the substrate or gates at contacts in the non-imaging area; and the second layer spanning the interconnections and barrier regions of the first layer only over the non-imaging areas and the second layer overlays edges of the first layer.

Un sensore di immagine include un substrato che ha zone fotosensibili; un isolante che misura il substrato; e un primo e secondo strato di una struttura a piĆ¹ strati di metalizzazione, in cui l'eccedenza chiara di regioni dello schermo delle prime forme di strato ha selezionato le parti della zona fotosensibile pure che forma le interconnessioni del circuito e le regioni della barriera per evitare che chioda nel substrato o nei cancelli ai contatti nella zona di non-formazione immagine; ed il secondo strato che misura le interconnessioni e le regioni della barriera del primo strato soltanto sopra le zone di non-formazione immagine ed i secondi bordi delle sovvrapposizioni di strato del primo strato.

 
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< Micromachined device having electrically isolated components and a method for making the same

< Reflowable-doped HDP film

> Semiconductor device

> Light-emitting device having element(s) for increasing the effective carrier capture cross-section of quantum wells

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