Device leakage due to spacer undercutting is remedied by depositing a
B-doped HDP or a BP-doped HDP oxide gap filling layer capable of flowing
into undercut regions. Embodiments include depositing a B or BP-doped HDP
oxide film containing 4 to 6 wt. % B over closely spaced apart
non-volatile transistors and heating during and subsequent to deposition
to complete flowing of the B- or BP-HDP oxide into and filling the
undercut regions on the sidewall spacers and to densify the B- or BP-HDP
oxide.
La fuite de dispositif due à l'entretoise dégageant est remédiée à en déposant un HDP B-enduit ou une couche remplissante Point d'ébullition-enduite d'espace d'oxyde de HDP capable de couler dans des régions dégagées. Les modes de réalisation incluent déposer un B ou le film Point d'ébullition-enduit d'oxyde de HDP contenant 4 à 6 % B de transistors non-volatiles distants étroitement espacés d'excédent des poids et les chauffant pendant et suivant au dépôt à couler complet de l'oxyde de b ou de BP-HDP dans et à remplir régions dégagées sur les entretoises de paroi latérale et densify l'oxyde de b ou de BP-HDP.
