A SRAM of complete CMOS type having its memory cell composed of six
MISFETs, in which a pair of local wiring lines for connecting the
input/output terminals of CMOS inverters are formed of a refractory metal
silicide layer formed over a first conducting layer constituting the
individual gate electrodes of the drive MISFETs, the transfer MISFETs and
the load MISFETs of the memory cell and in which a reference voltage line
formed over the local wiring lines is arranged to be superposed over the
local wiring lines to form a capacity element.
Moreover, the capacity element is formed between the local wiring lines and
the first conducting layer by superposing the local wiring lines over the
first conducting layer.
Moreover, the local wiring lines are formed by using resistance lowering
means such as silicification. In addition, there are made common the means
for lowering the resistance of the gate electrode of the transfer MISFETs
and the means for forming the local wiring lines.
Ein SRAM der kompletten CMOS Art, die seine Speicherzelle aus sechs MISFETs bestehen läßt, in in denen ein Paar lokale Verdrahtung für das Anschließen der Input/Output Anschlüß der CMOS Inverter zeichnet, werden von einem refraktäre gebildeten Überschuß des Metallsilicide Schicht ein die erste Leitschicht gebildet, welche die einzelnen Gate-Elektroden des Antriebs MISFETs, der Übertragung MISFETs und der Last MISFETs der Speicherzelle festsetzt und, in welchen eine Bezugsspannung Linie, die über den lokalen Verdrahtung Linien gebildet wird, geordnet wird, um über den lokalen Verdrahtung Linien überlagert zu sein, ein Kapazität Element zu bilden. Außerdem wird das Kapazität Element zwischen den lokalen Verdrahtung Linien und der ersten Leitschicht gebildet, indem man die Einheimischverdrahtung Linien Überschuß die erste Leitschicht superposing. Außerdem werden die lokalen Verdrahtung Linien gebildet, indem man den Widerstand verwendet, der Mittel wie silicification senkt. Zusätzlich, werden allgemein die Mittel für das Senken des Widerstandes der Gate-Elektrode von der Übertragung MISFETs und die Mittel für die Formung der Einheimischverdrahtung Linien gebildet.
