A metal-to-metal antifuse according to the present invention is compatible
with a Cu dual damascene process and is formed over a lower Cu metal layer
planarized with the top surface of a lower insulating layer. A lower
barrier layer is disposed over the lower Cu metal layer. An antifuse
material layer is disposed over the lower barrier layer. An upper barrier
layer is disposed over the antifuse material layer. An upper insulating
layer is disposed over the upper barrier layer. An upper Cu metal layer is
planarized with the top surface of the upper insulating layer and extends
therethrough to make electrical contact with the upper barrier layer.
Ένα μετάλλου προς μέταλλο antifuse σύμφωνα με την παρούσα εφεύρεση είναι συμβατό με μια διπλή διαδικασία damascene cu και διαμορφώνεται πέρα από ένα χαμηλότερο στρώμα μετάλλων cu με την κορυφαία επιφάνεια ενός χαμηλότερου στρώματος μόνωσης. Ένα χαμηλότερο στρώμα εμποδίων διατίθεται πέρα από το χαμηλότερο στρώμα μετάλλων cu. Ένα υλικό στρώμα antifuse διατίθεται πέρα από το χαμηλότερο στρώμα εμποδίων. Ένα ανώτερο στρώμα εμποδίων διατίθεται πέρα από το υλικό στρώμα antifuse. Ένα ανώτερο στρώμα μόνωσης διατίθεται πέρα από το ανώτερο στρώμα εμποδίων. Ένα ανώτερο στρώμα μετάλλων cu είναι με την κορυφαία επιφάνεια του ανώτερου στρώματος μόνωσης και επεκτείνεται therethrough να κάνει την ηλεκτρική επαφή με το ανώτερο στρώμα εμποδίων.
