The invention intends to provide a TFT having a gate insulating film which
has a high dielectric withstand voltage and can ensure a desired carrier
mobility in an adjacent semiconductor active film. A gate electrode and a
semiconductor active film are formed on a transparent substrate with a
gate insulating film, which is formed of two layered insulating films,
held between them. The gate insulating film is made up of a first gate
insulating film which improves a withstand voltage between the gate
electrode and the semiconductor active film, and a second gate insulating
film which improves an interface characteristic between the gate
insulating film and the semiconductor active film. The first and second
gate insulating films are each formed of a SiN.sub.x film. The optical
band gap of the first gate insulating film has a value in the range of 3.0
to 4.5 eV, and the optical band gap of the second gate insulating film has
a value in the range of 5.0 to 5.3 eV.
De uitvinding bedoelt een TFT te verstrekken hebbend een poort isolerende film die hoge diëlektrisch heeft voltage weerstaan en een gewenste dragermobiliteit in een aangrenzende halfgeleider actieve film kan verzekeren. Een poortelektrode en een halfgeleider actieve film worden gevormd op een transparant substraat met een poort isolerende film, die van twee gelaagde isolerende films wordt gevormd, die tussen hen worden gehouden. De poort isolerende film wordt samengesteld uit een eerste poort isolerende film die weerstaat voltage tussen de poortelektrode en de halfgeleider actieve film, en een tweede poort isolerende film verbetert die een interface kenmerkend tussen de poort isolerende film en de halfgeleider actieve film verbetert. De eerste en tweede poort isolerende films elk worden gevormd van een film SiN.sub.x. Het optische bandhiaat van de eerste poort isolerende film heeft een waarde in de waaier van 3,0 tot 4,5 eV, en het optische bandhiaat van de tweede poort isolerende film heeft een waarde in de waaier van 5,0 tot 5,3 eV.
