Method for manufacturing silicon wafer

   
   

Provided is a process for manufacturing a silicon wafer employing heat treatment which is applied on the silicon wafer in inert gas atmosphere represented by Ar annealing to annihilate Grown-in defects in a surface layer region of the silicon wafer as well as to cause no degradation of haze and micro-roughness on a surface thereof. In a process for manufacturing a silicon wafer having a step of heat treating the silicon wafer in inert gas atmosphere, using a purge box with which the silicon wafer heat treated in the inert gas atmosphere can be unloaded to outside a reaction tube of a heat treatment furnace without being put into contact with the open air, the purge box is filled with mixed gas of nitrogen and oxygen or 100% oxygen gas, and the heat treated silicon wafer is unloaded into the purge box.

Desde que é um processo para manufaturar um wafer de silicone que emprega o tratamento de calor que está aplicado no wafer de silicone na atmosfera do gás inerte representada pelo recozimento de Ar para annihilate Cresç- em defeitos em uma região da camada de superfície do wafer de silicone as.well.as para não causar nenhuma degradação do embaçamento e micro-aspereza em uma superfície disso. Em um processo para manufaturar um wafer de silicone que tem uma etapa do tratamento de calor o wafer de silicone na atmosfera do gás inerte, usando uma caixa da remoção com que o calor do wafer de silicone tratado na atmosfera do gás inerte pode ser descarregado fora de um tubo da reação de uma fornalha do tratamento de calor sem ser posto no contato com o ar aberto, a caixa da remoção é enchido com o gás misturado do nitrogênio e o oxigênio ou o gás 100% do oxigênio, e o wafer de silicone tratado calor é descarregado na caixa da remoção.

 
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