Provided is a process for manufacturing a silicon wafer employing heat
treatment which is applied on the silicon wafer in inert gas atmosphere
represented by Ar annealing to annihilate Grown-in defects in a surface
layer region of the silicon wafer as well as to cause no degradation of
haze and micro-roughness on a surface thereof. In a process for
manufacturing a silicon wafer having a step of heat treating the silicon
wafer in inert gas atmosphere, using a purge box with which the silicon
wafer heat treated in the inert gas atmosphere can be unloaded to outside
a reaction tube of a heat treatment furnace without being put into contact
with the open air, the purge box is filled with mixed gas of nitrogen and
oxygen or 100% oxygen gas, and the heat treated silicon wafer is unloaded
into the purge box.
Desde que é um processo para manufaturar um wafer de silicone que emprega o tratamento de calor que está aplicado no wafer de silicone na atmosfera do gás inerte representada pelo recozimento de Ar para annihilate Cresç- em defeitos em uma região da camada de superfície do wafer de silicone as.well.as para não causar nenhuma degradação do embaçamento e micro-aspereza em uma superfície disso. Em um processo para manufaturar um wafer de silicone que tem uma etapa do tratamento de calor o wafer de silicone na atmosfera do gás inerte, usando uma caixa da remoção com que o calor do wafer de silicone tratado na atmosfera do gás inerte pode ser descarregado fora de um tubo da reação de uma fornalha do tratamento de calor sem ser posto no contato com o ar aberto, a caixa da remoção é enchido com o gás misturado do nitrogênio e o oxigênio ou o gás 100% do oxigênio, e o wafer de silicone tratado calor é descarregado na caixa da remoção.