Dry etching

   
   

A metallic thin film of copper, silver, gold, or one alloy selected from alloys containing as a main component at least one of these metals is etched by plasma of an etching gas containing at least nitrogen oxide while being reacted with the plasma, whereby making it possible to fine-process electrically conductive materials, heat-transfer materials and electric-contact materials made of copper, silver, gold or an alloy containing as a main component at least one of these metals.

Металлическая тонкая пленка меди, серебра, золота, или одного сплава выбранного от сплавов содержа как главным образом компонент по крайней мере один этих металлов вытравлена плазмой газа вытравливания содержа по крайней мере окись азота пока реагируемо с плазмой, whereby делающ им по возможности материалы точн-proqessa электрически проводные, жар-perenosit материалы и электрическ-kontaktiruet материалы сделанные из меди, серебра, золота или сплава содержа как главным образом компонент по крайней мере одно этих металлов.

 
Web www.patentalert.com

< Method for manufacturing semiconductor device

< Implantable article and method

> Method of forming oxynitride film or the like and system for carrying out the same

> Method for manufacturing silicon wafer

~ 00173