In a semiconductor device manufacturing apparatus comprising at least a
reaction chamber and a substrate holder located within the reaction
chamber, a silicon nitride film is deposited on the substrate holder
within the reaction chamber, and then, a semiconductor substrate is put on
the silicon nitride film of the substrate holder within the reaction
chamber. A titanium film or a titanium nitride film is deposited on the
semiconductor substrate within the reaction chamber, by a chemical vapor
deposition process using a titanium halide as a raw material gas.
En un aparato de la fabricación del dispositivo de semiconductor que abarca por lo menos un compartimiento de la reacción y un sostenedor del substrato situados dentro del compartimiento de la reacción, una película del nitruro de silicio se deposita en el sostenedor del substrato dentro del compartimiento de la reacción, y entonces, un substrato del semiconductor se pone en la película del nitruro de silicio del sostenedor del substrato dentro del compartimiento de la reacción. Una película titanium o una película titanium del nitruro es depositada en el substrato del semiconductor dentro del compartimiento de la reacción, por un proceso de la deposición de vapor químico usando un halide titanium como gas de la materia prima.
