A resist patterning process is provided comprising the steps of (a)
applying a resist composition onto a substrate to form a resist film, (b)
prebaking the resist film, (c) exposing the prebaked resist film to a
pattern of radiation, (d) post-exposure baking the exposed resist film,
(e) developing the resist film to form a resist pattern, and (f) post
baking the resist pattern for causing thermal flow. The resist composition
contains a polymer comprising structural units of formula [I] in a
backbone and having acid labile groups on side chains as a base resin and
a photoacid generator.
##STR1##
X.sup.1 and X.sup.2 are --O--, --S--, --NR--, --PR-- or --CR.sub.2 --, R is
H or C.sub.1-20 alkyl, and m is 0 or an integer of 1 to 3. The invention
is effective for improving the degree of integration of semiconductor LSI.
Un processus modelant de résistance est fourni comportant les étapes (a) appliquant de composition de résistance sur un substrat pour former un film de résistance, (b) prebaking le film de résistance, (c) exposer prebaked résistent au film à un modèle de rayonnement, (d) post-exposition de traitement au four exposé résistent au film, (e) développant le film de résistance pour former un modèle de résistance, et (f) le poteau faisant le modèle de résistance pour causer l'écoulement thermique. La composition en résistance contient un polymère comportant les unités structurales de la formule [ I ] dans une épine dorsale et ayant les groupes labiles acides sur les chaînes latérales comme résine basse et générateur de photoacid. ## du ## STR1 X.sup.1 et X.sup.2 sont --O --. --S --. --NR --. --PR -- ou -- CR.sub.2 que --. R sont l'alkyl H ou C.sub.1-20, et m est 0 ou un nombre entier de 1 à 3. L'invention est efficace pour améliorer le degré d'intégration de LSI de semi-conducteur.
