A semiconductor device includes a dicing region provided on a semiconductor
substrate to separate a plurality of semiconductor chips each having a
gate portion from each other. The semiconductor device further includes a
plurality of element isolation regions provided on a surface portion of
the semiconductor substrate within the dicing region, a plurality of first
dummy patterns formed on a surface of the semiconductor substrate so as to
correspond to intervals of the plurality of element isolation regions,
respectively, and a plurality of second dummy patterns formed above the
semiconductor substrate within the dicing region so as to correspond to
the plurality of first dummy patterns, respectively.
Un dispositivo a semiconduttore include una regione tagliante fornita su un substrato a semiconduttore per separare una pluralità di circuiti integrati a semiconduttore ciascuno che ha una parte del cancello da a vicenda. Il dispositivo a semiconduttore ulteriore include una pluralità di regioni di isolamento dell'elemento fornite su una parte di superficie del substrato a semiconduttore all'interno della regione tagliante, una pluralità di primi modelli fittizi formati su una superficie del substrato a semiconduttore in modo da corrispondere agli intervalli della pluralità di regioni di isolamento dell'elemento, rispettivamente e di una pluralità di secondi modelli fittizi formati sopra il substrato a semiconduttore all'interno della regione tagliante in modo da corrispondere alla pluralità di primi modelli fittizi, rispettivamente.
