A non-volatile semiconductor memory device includes: a memory cell array in
which electrically rewritable floating gate type memory cells are
arranged; and a plurality of sense amplifier circuits configured to read
data from the memory cell array, wherein each the sense amplifier circuit
is configured to sense cell data of a first memory cell selected from the
memory cell array under a read condition determined in correspondence with
cell data of a second memory cell adjacent to the first memory cell and
written after the first memory cell.
Um dispositivo de memória permanente do semicondutor inclui: uma disposição de pilha da memória em que o tipo flutuando rewritable pilhas da porta de memória é arranjado eletricamente; e um plurality dos circuitos do amplificador do sentido configurarados aos dados lidos da disposição de pilha da memória, wherein cada o circuito do amplificador do sentido é configurarado para detetar dados da pilha de uma primeira pilha de memória selecionada da disposição de pilha da memória sob uma circunstância lida determinada na correspondência com dados da pilha de uma segunda pilha de memória junto à primeira pilha de memória e escrita após a primeira pilha de memória.
