A pixel site of a semiconductor imager structure includes a substrate layer
of a first dopant type; a photodiode being formed of a doped well region
within the substrate layer, the doped well region being of a second dopant
type; a transistor wherein a terminal of the transistor being provided
within the doped well region, the terminal of the transistor being of the
second dopant type and of a dopant concentration greater than a dopant
concentration of the doped well region; and an oxide layer formed over the
substrate layer, the doped well region, and the terminal of the
transistor. The oxide layer has a varying height such that a height of the
oxide layer associated with the doped well region is thicker than a height
of the oxide layer associated with the terminal of the transistor. The
oxide layer includes a step region being located where the height of the
oxide layer transitions from the height associated with the doped well
region to the height associated with the terminal of the transistor. The
oxide layer has a constant height across a perimeter of the doped well
region that forms a depletion region with the substrate when a reverse
bias voltage is applied across thereto.
Un luogo del pixel di una struttura del toner a semiconduttore include uno strato del substrato di un primo tipo del dopant; un fotodiodo che è formato di una regione buona verniciata all'interno dello strato del substrato, la regione buona verniciata che è di un secondo tipo del dopant; un transistore in cui un terminale del transistore che è fornito all'interno della regione buona verniciata, il terminale del transistore che è del secondo tipo del dopant e di una concentrazione di dopant più grande di una concentrazione in dopant della regione buona verniciata; e uno strato dell'ossido ha formato sopra lo strato del substrato, la regione buona verniciata ed il terminale del transistore. Lo strato dell'ossido ha un'altezza di variazione tali che un'altezza dello strato dell'ossido connesso con la regione buona verniciata è più spessa di un'altezza dello strato dell'ossido connesso con il terminale del transistore. Lo strato dell'ossido include una regione di punto che è individuata dove l'altezza delle transizioni di strato dell'ossido dall'altezza si è associata con la regione buona verniciata all'altezza connessa con il terminale del transistore. Lo strato dell'ossido ha un'altezza costante attraverso un perimetro della regione buona verniciata che forma una regione di svuotamento con il substrato quando una tensione di polarizzazione d'inversione è applicata attraverso a ciò.
