A resonant-cavity light-emitting diode includes a semiconductor
light-emitting layer sandwiched between an under and an upper
semiconductor distributed Bragg reflector mirror layer, which are formed
on the substrate, a light extracting section formed on the upper
semiconductor distributed Bragg reflector mirror layer and having an
opening to extract light from the semiconductor light-emitting layer, and
a groove formed by removing portions of the semiconductor light-emitting
layer, under and upper semiconductor distributed Bragg reflector mirror
layers which lie in a peripheral portion of the opening of the light
extraction section and reach the under semiconductor distributed Bragg
reflector mirror layer, the inner wall of the groove being formed to
reflect part of light emitted from the semiconductor light-emitting layer
into the groove.
Une diode luminescente de résonnant-cavité inclut une couche luminescente de semi-conducteur serrée entre un de dessous et une couche de miroir de réflecteur de Bragg distribuée par semi-conducteur supérieur, qui est formé sur le substrat, une section extrayante légère formée sur la couche de miroir de réflecteur de Bragg distribuée par semi-conducteur supérieur et ayant une ouverture pour extraire la lumière à partir de la couche luminescente de semi-conducteur, et une cannelure constituée en enlevant des parties de la couche luminescente de semi-conducteur, dessous et supérieur couches de miroir de réflecteur de Bragg distribuées par semi-conducteur qui se situent dans une partie périphérique de l'ouverture de la section légère d'extraction et atteignent la couche de miroir de réflecteur de Bragg distribuée par semi-conducteur de dessous, le mur intérieur de la cannelure étant formée pour réfléchir une partie de lumière émise des couche luminescente de semi-conducteur dans la cannelure.
