In a nitride semiconductor light emitting device chip, a mask pattern on a
nitride semiconductor substrate (101) is formed of a growth inhibiting
film on which a nitride semiconductor layer is hard to grow. There are a
plurality of windows unprovided with the growth inhibiting film. There are
at least two different widths as mask widths each between the adjacent
windows. The mask pattern includes a mask A group (MAG) and mask B groups
(MBG) arranged on respective sides of the mask A group. A mask A width in
the mask A group is wider than a mask B width in the mask B group. The
nitride semiconductor light emitting device chip further includes a
nitride semiconductor underlayer (102) covering the windows and the mask
pattern, and a light emitting device structure having a light emitting
layer (106) including at least one quantum well layer between an n type
layer (103-105) and a p type layer (107-110) over the underlayer. A
current-constricting portion (RS) through which substantial current is
introduced into the light emitting layer is formed above mask A.
In einem hellen ausstrahlenden Span Vorrichtung des Nitridhalbleiters wird eine Maskenvorlage auf einem Nitridhalbleitersubstrat (101) von einem inhibierenden Film des Wachstums gebildet, auf dem eine Nitridhalbleiterschicht hart zu wachsen ist. Es gibt eine Mehrzahl der Fenster unprovided mit dem inhibierenden Film des Wachstums. Es gibt mindestens zwei unterschiedliche Breiten als Schablone Breiten jede zwischen den angrenzenden Fenstern. Die Maskenvorlage schließt eine Schablone A Gruppe (Mag) und Schablone B die Gruppen (MBG) geordnet auf jeweiligen Seiten der Schablone A Gruppe ein. Eine Schablone A Breite in der Schablone A Gruppe ist breiter als eine Schablone B Breite in der Schablone B Gruppe. Der helle ausstrahlende Span Vorrichtung des Nitridhalbleiters schließt weiter ein Nitridhalbleiter underlayer (102) die Fenster und die Maskenvorlage umfassend und eine helle ausstrahlende Vorrichtung Struktur, die eine helle ausstrahlende Schicht (106) mindestens eine Quantenwohle Schicht zwischen einer n Art Schicht (103-105) und einer p Art Schicht (107-110) über dem underlayer hat einzuschließen ein. Ein gegenwärtig-einengender Teil (RS) durch das erheblicher Strom in die helle ausstrahlende Schicht eingeführt wird, wird über Schablone A gebildet.
