The present invention provides a process for fabricating ultrathin
monolayers or ultrathin multilayer films, the process comprising the steps
of: introducing positive or negative charge or a material capable of
hydrogen-bonding to a substrate and placing the substrate on a
spinner(pretreating step); introducing a material (A) bindable with the
material deposited on the substrate, and spinning the substrate at 500 rpm
to 30000 rpm for 4 to 200 seconds(first coating step); dropping washing
solvent onto the substrate after completion of the first coating and
spinning the substrate at 500 rpm to 30000 rpm for 4 to 200 sec to remove
weakly-bound material (A) and form a thin film (A)(first washing step);
introducing another material (B) bindable with the material (A) coated on
the substrate and further coating it in the same condition as of the first
coating(second coating step), dropping washing solvent onto the substrate
after completion of the second coating and spinning the substrate at 500
rpm to 30000 rpm for 4 to 200 sec to remove the weakly-bound material (B)
and form a thin film(B)(second washing step), wherein the entire above
steps are more than once repeated.
Η παρούσα εφεύρεση παρέχει μια διαδικασία για ultrathin monolayers ή τις ultrathin πολυστρωματικές ταινίες, η διαδικασία περιλαμβάνοντας τα βήματα: εισάγοντας τη θετική ή αρνητική δαπάνη ή ένα υλικό ικανό υδρογόνο- με ένα υπόστρωμα και το υπόστρωμα σε ένα spinner(pretreating βήμα) εισάγοντας υλικό (A) bindable με το υλικό που κατατίθεται στο υπόστρωμα, και περιστρέφοντας το υπόστρωμα σε 500 περιστροφές/λεπτό σε 30000 περιστροφές/λεπτό για το βήμα επιστρώματος 4 έως 200 seconds(first) ρίχνοντας το διαλύτη πλύσης επάνω στο υπόστρωμα μετά από την ολοκλήρωση του πρώτου επιστρώματος και περιστρέφοντας το υπόστρωμα σε 500 περιστροφές/λεπτό σε 30000 περιστροφές/λεπτό για 4 έως 200 SEC για να αφαιρέσουν συνδεδεμένο υλικό (A) και να διαμορφώσουν ένα βήμα πλύσης λεπτών ταινιών (A)(first) εισάγοντας έναν άλλο υλικό (B) bindable με υλικό (A) που ντύνεται στο υπόστρωμα και το περαιτέρω επίστρωμα το στον ίδιο όρο από το πρώτο coating(second βήμα επιστρώματος), το διαλύτη πλύσης μείωσης επάνω στο υπόστρωμα μετά από την ολοκλήρωση του δεύτερου επιστρώματος και περιστροφή του υποστρώματος σε 500 περιστροφές/λεπτό σε 30000 περιστροφές/λεπτό για 4 έως 200 SEC για να αφαιρέσουν συνδεδεμένο υλικό (B) και να διαμορφώσουν ένα λεπτό βήμα πλύσης film(B)(second), όπου τα ολόκληρα ανωτέρω βήματα επαναλαμβάνονται περισσότερο από μία φορά.
