Film deposition on a semiconductor wafer

   
   

Heating a reaction chamber or other apparatus in the absence of product wafers to a "curing" temperature above a deposition temperature between the deposition of a film on a first set of semiconductor product wafers and the deposition of a film on a second set of semiconductor product wafers. In some embodiments, a boat with filler wafers is in the reaction chamber when the reaction chamber is heated to the curing temperature. In some examples, the films are deposited by a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) process. With some processes, if the deposition of a film on product wafers is at a temperature below a certain temperature, the film deposited with the product wafer on a boat, filler wafers, and/or other structures in the reaction chamber can cause contamination of product wafers subsequently deposited with a film in the presence of the boat and filler wafers. Contamination from these previously deposited films is inhibited by applying a curing temperature to the deposited fillers in the absence of the product wafers before a film is deposited on the next set of product wafers.

Einen Reaktion Raum oder anderen Apparat in Ermangelung der Produktoblaten zu einem "Kurieren" von von Temperatur über einer Absetzungtemperatur zwischen der Absetzung eines Filmes auf einem ersten Satz Halbleiterproduktoblaten und der Absetzung eines Filmes auf einem zweiten Satz Halbleiterproduktoblaten heizen. In einigen Verkörperungen ist ein Boot mit Fülleroblaten im Reaktion Raum, wenn der Reaktion Raum zur kurierenden Temperatur geheizt wird. In einigen Beispielen werden die Filme durch einen Prozeß der Absetzung des chemischen Dampfes des Niederdruckes (LPCVD) niedergelegt. Bei einigen Prozessen wenn die Absetzung eines Filmes auf Produktoblaten bei einer Temperatur unterhalb einer bestimmten Temperatur ist, legte der Film bei der Produktoblate auf einem Boot, Fülleroblaten nieder, und/oder können andere Strukturen im Reaktion Raum Verschmutzung der Produktoblaten verursachen, die nachher bei einem Film in Anwesenheit der Boot und Fülleroblaten niedergelegt werden. Verschmutzung von diesen vorher niedergelegten Filmen wird gehemmt, indem man eine kurierende Temperatur an den niedergelegten Füllern in Ermangelung der Produktoblaten anwendet, bevor ein Film auf dem folgenden Satz der Produktoblaten niedergelegt wird.

 
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< Polycrystalline silicon thin film used in a thin film transistor and a device using the same

< Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor and related structure

> Structure of TFT planar display panel

> Triple gate device having strained-silicon channel

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