A polycrystalline silicon thin film of a TFT in which probabilities P1 and
P2 for which the maximum number of respective primary crystal grain
boundaries for transistors TR1 and TR2 arranged perpendicular to each
other are contained in active channel regions are
P1=(D1-(Nmax1-1)*Gs1)/Gs1 and P2=(D2-(Nmax2-1)*Gs2)/Gs2: where P1 or P2 is
not 0.5, D1=L1 cos .theta., W1 sin .theta., D2=L2 cos.theta.+W2 sin
.theta., L1 and L2 are lengths of active channels, and W1 and W2 are
widths of the active channels, of the transistors TR1 and TR2, Nmax1 and
Nmax2 are the maximum numbers of the primary crystal grain boundaries
contained in the active channel regions for each of TR1 and TR2, Gs1 and
Gs2 are crystal grain sizes having a fatal effect on characteristics of
each of TR1 and TR2, and .theta. is an angle in which the primary crystal
grain boundaries are inclined perpendicular to an active channel direction
of the respective transistors TR1 and TR2.
Een polycrystalline silicium dunne film van een TFT waarin de waarschijnlijkheid P1 en P2 waarvoor het maximumaantal respectieve primaire grenzen van de kristalkorrel voor transistors TR1 en TR2 de geschikte loodlijn aan elkaar in actieve kanaalgebieden bevat zijn P1=(D1(Nmax11)*Gs1)/Gs1 en P2=(D2(Nmax21)*Gs2)/Gs2 is: waar P1 of P2 geen 0,5 zijn, cos. D1=L1 theta., W1 zonde theta., zonde D2=L2 cos.theta.+W2 theta., L1 en L2 zijn lengten van actieve kanalen, en W1 en W2 zijn breedten van de actieve kanalen, van de transistors TR1 en TR2, Nmax1 en Nmax2 zijn de maximumaantallen primaire grenzen van de kristalkorrel in de actieve kanaalgebieden voor elk van TR1 en TR2, Gs1 en Gs2 zijn de grootte die van de kristalkorrel een fataal effect op kenmerken van elk van TR1 en TR2 hebben, en theta. is een hoek waarin de primaire grenzen van de kristalkorrel geneigde loodlijn aan een actieve kanaalrichting van de respectieve transistors TR1 en TR2 zijn.
