A CMOS transistor is described. The CMOS transistor comprises a first TFT
of a first conductivity type and a second TFT of a second conductivity
type. The first TFT includes a gate, a channel region, a first doped
region of the first conductivity type and a source region, wherein the
channel region, the first doped region and the source region are arranged
along a first direction. The second TFT includes a gate, a channel region,
a second doped region of the second conductivity type and a drain region,
wherein the channel region, the second doped region and the drain region
are arranged along the first direction. The first and the second doped
regions are arranged along a second direction that is perpendicular to the
first direction, and are electrically connected by a conductive line
extending along the second direction.
Se describe un transistor del Cmos. El transistor del Cmos abarca un primer TFT de un primer tipo de la conductividad y un segundo TFT de un segundo tipo de la conductividad. El primer TFT incluye una puerta, una región del canal, una primera región dopada del primer tipo de la conductividad y una región de la fuente, en donde la región del canal, la primera región dopada y la región de la fuente se arreglan a lo largo de una primera dirección. El segundo TFT incluye una puerta, una región del canal, una segunda región dopada del segundo tipo de la conductividad y una región del dren, en donde la región del canal, la segunda región dopada y la región del dren se arreglan a lo largo de la primera dirección. Las primeras y segundas regiones dopadas se arreglan a lo largo de una segunda dirección que sea perpendicular a la primera dirección, y son conectadas eléctricamente por una línea conductora que extiende a lo largo de la segunda dirección.
