Disclosed are a display system and a method of producing the same. In the
present invention, a hexagonal pyramid shaped GaN semiconductor
light-emitting device selectively crystal-grown is fixed on an upper
surface of a substrate by embedding it in an insulation layer formed of an
epoxy resin. Then the insulation layer is selectively dry etched in an
oxygen plasma atmosphere to expose an upper end portion of the GaN
semiconductor light-emitting device. A conductor film is formed on the
entire surface, and a required portion of the conductor film is left as a
lead-out electrode while the unrequired portion is removed by lithography.
São divulgados um sistema de exposição e um método de produzir o mesmo. Na invenção atual, uma pirâmide sextavada dada forma dispositivo light-emitting do semicondutor de GaN cristal-crescido seletivamente é fixa em uma superfície superior de uma carcaça encaixando a em uma camada da isolação dada forma de uma resina epoxy. Então a camada da isolação está seletivamente seca gravada em uma atmosfera do plasma do oxigênio para expo uma parcela de extremidade superior do dispositivo light-emitting do semicondutor de GaN. Uma película do condutor é dada forma na superfície inteira, e uma parcela requerida da película do condutor é deixada como conduz-para fora ao elétrodo quando unrequired a parcela é removido pelo lithography.
