A physically robust light emitting diode is disclosed that offers
high-reliability in standard packaging and that will withstand high
temperature and high humidity condition. The diode comprises a Group III
nitride heterojunction diode with a p-type Group III nitride contract
layer, an ohmic contact to the p-type contact layer, and a
sputter-deposited silicon nitride composition passivation layer on the
ohmic contact. A method of manufacturing a light emitting diode and an LED
lamp incorporating the diode are also disclosed.
Un diodo luminescente fisicamente robusto è rilevato che offre l'alto-affidabilità nel campione che impacca e che sosterrà lo stato di umidità a temperatura elevata ed alta. Il diodo contiene un diodo di heterojunction del nitruro del gruppo III con un p-tipo lo strato del contratto del nitruro del gruppo III, un contatto ohmico al p-tipo strato del contatto e uno strato polverizz-depositato di passività della composizione nel nitruro di silicio sul contatto ohmico. Un metodo di produzione del diodo luminescente e una lampada del LED che incorpora il diodo inoltre sono rilevati.
