A semiconductor material and a method for forming the same, said
semiconductor material having produced by a process comprising melting a
noncrystal semiconductor film containing therein carbon, nitrogen, and
oxygen each at a concentration of 5.times.10.sup.19
atoms.multidot.cm.sup.-3 or lower, preferably 1.times.10.sup.19
atoms.multidot.cm.sup.-3 or lower, by irradiating a laser beam or a high
intensity light equivalent to a laser beam to said noncrystal
semiconductor film, and then recrystallizing the thus molten amorphous
silicon film. The present invention provides thin film semiconductors
having high mobility at an excellent reproducibility, said semiconductor
materials being useful for fabricating thin film semiconductor devices
such as thin film transistors improved in device characteristics.
Un matériel de semi-conducteur et une méthode pour former la même chose, ledit matériel de semi-conducteur ayant produit par un processus comportant fondant un film noncrystal de semi-conducteur contenant là-dedans le carbone, l'azote, et l'oxygène chacun à une concentration de 5.times.10.sup.19 atoms.multidot.cm.sup.-3 ou s'abaissent, de préférence 1.times.10.sup.19 atoms.multidot.cm.sup.-3 ou s'abaissent, en irradiant un rayon laser ou une lumière d'intensité élevée équivalente à un rayon laser à ledit film noncrystal de semi-conducteur, et puis en recristallisant le film amorphe ainsi fondu de silicium. La présente invention fournit des semi-conducteurs de la couche mince ayant la mobilité élevée à une excellente reproductibilité, lesdits matériaux de semi-conducteur étant utiles pour fabriquer des dispositifs de semi-conducteur de la couche mince tels que des transistors de la couche mince améliorés dans des caractéristiques de dispositif.
