Within a method for fabricating a capacitor structure within a
microelectronic fabrication there is formed a capacitor structure
comprising a pair of capacitor plate layers separated by a capacitor
dielectric layer. Within the method, at least one of the pair of capacitor
plates is formed of a doped amorphous silicon material formed incident to
isotropic etching within an etchant solution comprising aqueous ammonium
hydroxide, without hydrogen peroxide.
Dentro de un método para fabricar una estructura del condensador dentro de una fabricación microelectrónica se forma una estructura del condensador que abarca un par de las capas de la placa del condensador separadas por una capa del dieléctrico del condensador. Dentro del método, por lo menos uno del par de placas del condensador se forma de un incidente formado material amorfo dopado del silicio a la aguafuerte isotrópica dentro de una solución etchant que abarca el hidróxido de amonio acuoso, sin el peróxido de hidrógeno.