A plate high-frequency electrode for supplying a high-frequency power of
the VHF band and a grounding electrode are disposed in opposition to each
other at an interval of less than 8 mm in a vacuum vessel; at least a
silane-based gas and nitrogen gas as source gases are introduced into a
reaction space of the vacuum vessel, and a silicon nitride deposited film
is formed with the pressure of the reaction space being kept at 40 to 133.
Thereby, a silicon nitride film with good quality can be obtained.
Un electrodo de alta frecuencia de la placa para proveer una energía de alta frecuencia de la venda del VHF y un electrodo que pone a tierra se disponen en la oposición el uno al otro en un intervalo de menos de 8 milímetros en un recipiente del vacío; por lo menos un gas silane-basado y el gas del nitrógeno como gases de la fuente se introducen en un espacio de la reacción del recipiente del vacío, y una película depositada del nitruro de silicio se forma con la presión del espacio de la reacción que es guardado en 40 a 133. De tal modo, una película del nitruro de silicio con buena calidad puede ser obtenida.
