A programmable conductor memory cell is read by a sense amplifier but
without rewriting the contents of the memory cell. If the programmable
contact memory cell has an access transistor, the access transistor is
switched off to decouple the cell from the bit line after a predetermined
amount of time. The predetermined amount of time is sufficiently long
enough to permit the logical state of the cell to be transferred to the
bit line and also sufficiently short to isolate the cell from the bit line
before the sense amplifier operates. For programmable contact memory cells
which do not utilize an access transistor, an isolation transistor may be
placed in the bit line located between and serially connection the portion
of the bit line from the sense amplifier to the isolation transistor and
the portion of the bit line from the isolation transistor to the memory
cell. The isolation transistor, normally conducting, is switched off after
the predetermined time past the time the bit line begins to discharge
through the programmable contact memory cell, thereby isolating the
programmable contact memory cell from the sense amplifier before a sensing
operation begins.
Une cellule de mémoire programmable de conducteur est lue par un amplificateur de sens mais sans récrire le contenu de la cellule de mémoire. Si la cellule de mémoire programmable de contact a un transistor d'accès, le transistor d'accès est coupé pour découpler la cellule de la ligne de peu après une quantité de temps prédéterminée. La quantité de temps prédéterminée est suffisamment assez longue pour permettre à l'état logique de la cellule d'être transférée à la ligne de peu et pour isoler également suffisamment sous peu la cellule de la ligne de peu avant que l'amplificateur de sens fonctionne. Pour les cellules de mémoire programmables de contact qui n'utilisent pas un transistor d'accès, un transistor d'isolement peut être placé dans la ligne de peu localisée entre et en série raccordement la partie de la ligne de peu de l'amplificateur de sens au transistor d'isolement et la partie de la ligne de peu du transistor d'isolement à la cellule de mémoire. Le transistor d'isolement, conduisant normalement, est commuté au loin après le temps prédéterminé après le temps où la ligne de peu commence à décharger par la cellule de mémoire programmable de contact, isolant de ce fait la cellule de mémoire programmable de contact de l'amplificateur de sens avant qu'une opération de sensation commence.
