A first fraction of a programming voltage is applied to a first word line
coupled to a control gate of a selected ferroelectric memory cell in an
array of ferroelectric memory cells. A gate/source voltage equal to the
programming voltage is sufficient to reverse polarity of each memory cell.
A ground potential is applied to other word lines coupled to control gates
of non-selected memory cells. The first fraction of the programming
voltage is applied to a first program line coupled to a first source/drain
region of the selected memory cell and to other program lines coupled to
first source/drain regions of non-selected memory cells. A second fraction
of the programming voltage is applied to a first bit line coupled to a
second source/drain region of the selected memory cell and to other bit
lines coupled to second source/drain regions of non-selected memory cells.
Ein erster Bruch einer programmierenspannung wird an einer ersten Wortlinie angewendet, die zu einem Steuergatter einer vorgewählten ferroelectric Speicherzelle in einer Reihe ferroelectric Speicherzellen verbunden wird. Eine gate/source Spannung, die der programmierenspannung gleich ist, ist genügend, Polarität jeder Speicherzelle aufzuheben. Ein Grundpotential wird an anderen Wortlinien angewendet, die zu den Steuergattern der nicht-vorgewählten Speicherzellen verbunden werden. Der erste Bruch der programmierenspannung wird an einer ersten Programmzeile angewendet, die zu einer ersten source/drain Region der vorgewählten Speicherzelle und zu anderen Programmzeilen verbunden wird, die zu den ersten source/drain Regionen der nicht-vorgewählten Speicherzellen verbunden werden. Ein zweiter Bruch der programmierenspannung wird an einer ersten Spitze Linie angewendet, die zu einer zweiten source/drain Region der vorgewählten Speicherzelle und zu anderen Spitze Linien verbunden wird, die zu den zweiten source/drain Regionen der nicht-vorgewählten Speicherzellen verbunden werden.
