Systems and methods are described for translating detected wafer defect
coordinates to reticle coordinates using CAD data. A wafer inspection
image is provided and coordinates of potential defects in the wafer are
determined. Then the wafer inspection image is converted into a
predetermined image format. CAD data for the device under test is then
used to produce a second image, also in the predetermined image format.
The CAD-derived image and the wafer-derived image are then aligned, and
the coordinates of potential defects in the wafer are converted into CAD
coordinates. The CAD coordinates are then used to navigate through the
reticle for the wafer in order to locate reticle defects corresponding to
the detected wafer defects.
De systemen en de methodes worden beschreven voor het vertalen van de ontdekte coördinaten van het wafeltjetekort aan dradenkruiscoördinaten gebruikend CAD gegevens. Een beeld van de wafeltjeinspectie wordt verstrekt en de coördinaten van potentiële tekorten in het wafeltje worden bepaald. Dan wordt het beeld van de wafeltjeinspectie omgezet in een vooraf bepaald beeldformaat. Cad het gegeven voor het apparaat in onderzoek wordt dan gebruikt om een tweede beeld, ook in het vooraf bepaalde beeldformaat te veroorzaken. Het cad-Afgeleide beeld en het wafeltje-afgeleide beeld worden dan gericht, en de coördinaten van potentiële tekorten in het wafeltje worden omgezet in CAD coördinaten. De CAD coördinaten worden dan gebruikt door het dradenkruis voor het wafeltje navigeren om dradenkruis van tekorten de plaats te bepalen die aan de ontdekte wafeltjetekorten beantwoorden.
