A non-volatile semiconductor memory device includes a memory cell array
with electrically rewritable non-volatile memory cells laid out therein,
an address selector circuit for performing memory cell selection of the
memory cell array, a data read/write circuit arranged to perform data read
of the memory cell array and data write to the memory cell array, and a
control circuit for executing a series of copy write operations in such a
manner that a data output operation of from the data read/write circuit to
outside of a chip and a data write operation of from the data read/write
circuit to the memory cell array are overlapped each other, the copy write
operation including reading data at a certain address of the memory cell
array into the data read/write circuit, outputting read data held in the
read/write circuit to outside of the chip and writing write data into
another address of the memory cell array, the write data being a modified
version of the read data held in the data read/write circuit as externally
created outside the chip.
Un dispositivo de memoria permanente de semiconductor incluye un arsenal de célula de memoria con las células de memoria permanente eléctricamente reescribibles presentadas en esto, un circuito del selector de la dirección para realizar la selección de la célula de memoria del arsenal de célula de memoria, un circuito de lectura/grabación de los datos dispuesto para realizar los datos leídos del arsenal de célula de memoria y los datos escriben al arsenal de célula de memoria, y un circuito de control para ejecutar una serie de copia escribe operaciones de manera que una operación de salida de datos del circuito de lectura/grabación de los datos fuera de una viruta y los datos escriban la operación de los datos que el circuito de lectura/grabación al arsenal de célula de memoria se traslapa, la copia escriban la operación incluyendo datos de lectura en cierta dirección del arsenal de célula de memoria en el circuito de lectura/grabación de los datos, haciendo salir los datos leídos llevados a cabo en el circuito de lectura/grabación fuera de la viruta y escribiendo escribe datos en otra dirección del arsenal de célula de memoria, los datos del escribir que son una versión modificada de los datos leídos llevados a cabo en el circuito de lectura/grabación de los datos según lo externamente creado fuera de la viruta.
