A nitride compound semiconductor light-emitting device having a stack of
layers including an active layer for a light emitting device and a method
of manufacturing the device is disclosed. The method includes the steps of
growing a first layer on a substrate at a first temperature to obtain an
incomplete crystalline structure including both indium and aluminum and
having the composition expressed as In.sub.X Al.sub.Y Ga.sub.1-X-Y
N(0.ltoreq.X.ltoreq.1, 0.ltoreq.Y.ltoreq.1). The method grows a cap layer
on the first layer to cover the first layer, with growth of the cap layer
proceeding at a second temperature substantially equal to or below the
first temperature. The first layer is heat treated at a third temperature
above the first temperature to cause the incomplete crystalline structure
to crystallize and to create areas of differing compositions, thus
changing the first layer to an active layer. The material of the cap layer
is selected to be heat stable during the heat-treating step.
Un dispositif luminescent de semi-conducteur composé de nitrure ayant une pile de couches comprenant une couche active pour un dispositif d'émission léger et une méthode de fabriquer le dispositif est révélé. La méthode inclut les étapes d'accroître une première couche sur un substrat à une première température pour obtenir une structure cristalline inachevée comprenant l'indium et l'aluminium et d'avoir la composition exprimée comme In.sub.X Al.sub.Y Ga.sub.1-X-Y N(0.ltoreq.X.ltoreq.1, 0.ltoreq.Y.ltoreq.1). La méthode accroît une couche de chapeau sur la première couche pour couvrir la première couche, de croissance de la couche de chapeau procédant à une deuxième température essentiellement égale ou au-dessous derrière la première température. La première couche est soumise à un traitement thermique à une troisième température au-dessus de la première température pour faire cristalliser et créer la structure cristalline inachevée des secteurs de compositions différentes, de ce fait changeant la première couche en couche active. Le matériel de la couche de chapeau est choisi pour être thermostable pendant l'étape detraitement.
