A defect free intermetal dielectric, IMD, and method of forming the defect free IMD are described. The IMD uses spacers formed by means of etchback of a layer of spin-on-glass, SOG. In order to use an oxide layer formed by means of plasma enhanced tetra-ethyl-ortho-silicate, PE-TEOS, as part of the IMD an oxide cap layer formed using plasma enhanced chemical vapor deposition, PE-CVD, is used to isolate the SOG spacers from the PE-TEOS formed oxide layer. By isolating the PE-TEOS formed oxide layer from the SOG spacers a reliable and defect free IMD is achieved.

Un diélectrique de défaut, un IMD, et une méthode intermetal libres de former le défaut librement IMD sont décrits. L'IMD emploie des entretoises formées au moyen d'etchback d'une couche de tourner-sur-verre, SOG. Afin d'employer une couche d'oxyde a formé au moyen de tétra-éthyle-ortho--silicate augmenté par plasma, PE-TEOS, en tant qu'élément de l'IMD par couche de chapeau d'oxyde formée en utilisant la déposition en phase vapeur augmentée par plasma, PE-CVD, est employé pour isoler les entretoises de SOG de la couche d'oxyde formée par PE-TEOS. En isolant le PE-TEOS la couche formée d'oxyde des entretoises de SOG un fiable et un défaut librement IMD est réalisée.