It is an object of the present invention to provide a cleaning method of and a cleaning apparatus for removing organic matters such as phthalates that have deposited on the surface of a semiconductor substrate while restraining the growth of a natural oxide film. The present invention provides a method of cleaning a semiconductor substrate, which comprises irradiating a semiconductor substrate contaminated by organic matters such as phthalic acid, phthalate and derivatives thereof with vacuum ultraviolet light having a wavelength within a range from 165 to 179 nm in an atmosphere of oxygen or air that is introduced from an O.sub.2 or air intake port, thereby decomposing and removing the contaminant.

Es ist ein Gegenstand der anwesenden Erfindung, zum einer Reinigungsmethode von und des Reinigung Apparates für das Entfernen der organischen Angelegenheiten wie Phthalate bereitzustellen, die auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrates beim Zurückhalten des Wachstums eines natürlichen Oxidfilmes niedergelegt haben. Die anwesende Erfindung liefert eine Methode des Säuberns eines Halbleitersubstrates, das das Bestrahlen eines Halbleitersubstrates enthält, das durch organische Angelegenheiten wie Phthal- Säure, Phthalat und Ableitungen davon mit dem VakuumcUv-Licht verschmutzt wird, das eine Wellenlänge innerhalb eines Bereiches von 165 bis 179 nm in einer Atmosphäre des Sauerstoffes oder der Luft, die, hat von einem O.sub.2 oder von einem Lufteintritttor eingeführt wird, dadurch zerlegt man und entfernt den verunreiniger.